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    igbt对比

    2018-05-04
    输出特性与转移特性:

    igbt的伏安特性是指以栅极电压vge为参变量时,集电极电流ic与集电极电压vce之间的关系曲线。igbt的伏安特性与bjt的输出特性相似,也可分为饱和区i、放大区ii和击穿区iii三部分。igbt作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。igbt的转移特性是指集电极输出电流ic与栅极电压之间的关系曲线。它与mosfet的转移特性相同,当栅极电压vge小于开启电压vge(th)时,igbt处于关断状态。在igbt导通后的大部分集电极电流范围内,ic与vge呈线性关系。

    igbt与mosfet的对比:

    mosfet全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(s)、漏极(d)和栅极(g)。

    主要优点:热稳定性好、安全工作区大。

    缺点:击穿电压低,工作电流小。

    igbt全称绝缘栅双极晶体管,是mosfet和gtr(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(c)、发射极(e)和栅极(g)。

    特点:击穿电压可达1200v,集电极最大饱和电流已超过1500a。由igbt作为逆变器件的变频器的容量达250kva以上,工作频率可达20khz。

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